【半導体】信越化学工業、窒化ガリウム基板および関連製品の開発を本格化

　信越化学工業（株）は、このたびQromis, Inc.（本社：米カリフォルニア州、CEO：Cem Basceri、以下Qromis社）との間で、同社が保有するGaN（窒化ガリウム）基板関連技術についてライセンス契約を締結し、GaN基板および関連製品の開発を本格化する。
　信越化学工業は、半導体シリコンウエハーを製造する子会社の信越半導体（株）とともに、パワー半導体と高周波半導体向けに通常のシリコンウエハーに加え、Silicon on Insulator（SOI）ウエハーやGaN on Siliconウエハー等の基板を開発し、販売してきた。これらの製品群をさらに拡充するとともに、Qromis社の技術を用いてGaN基板および関連製品の品揃えを行い、複数の解を提供することで顧客の要望に応えていく。
　GaNを用いた半導体は、電動自動車等のモビリティーの進化、5Gやデジタライゼーションなどで求められる高デバイス特性と省エネルギーという相反する課題を解決できるデバイスとして、今後需要が大きく拡大することが期待されている。
　信越化学工業および信越半導体をはじめとする同社グループは、大口径GaN関連製品を供給することで、時代の要請である、エネルギーを効率的に利用できる持続可能な社会の実現に貢献していく。