【第78回応用物理学会秋季学術講演会】富士通研の野村健二氏、9月8日に「強誘電体PLZTの結晶化メカニズム」発表

　（公社）応用物理学会では、来る9月5日～8日まで、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレスホテル（福岡県福岡市）で「第78回応用物理学会秋季学術講演会」を開催する。8日、15:30～15:45には、富士通研の野村健二氏が「強誘電体PLZTの結晶化メカニズム」について発表する。会場はA504。
　強誘電体メモリ（FRAM）は、実用化されている次世代不揮発性メモリであり、近年はIoT市場向けの利用拡大が期待されている。発表者はPLZT膜の結晶化アニール時の雰囲気を不活性なアルゴンと酸素の混合状態にすると、製造時の歩留まりが向上する事を見出しており、酸化物薄膜のデバイス応用に関わる研究者・技術者にとって極めて有益な情報である。