【半導体】キヤノン、世界初のナノインプリント向け量産用マスクレプリカ製造装置「FPA-1100NR2」を製品化。DNPグループに納入

　キヤノン（株）は、世界で初めて、ナノインプリント技術を用いた半導体製造装置用のマスクを低コストで複製する、量産用マスクレプリカ製造装置「FPA-1100NR2」を製品化し、ナノイン プリント用マスクのリーディングサプライヤーであるDNP（大日本印刷）グループに納入する。
　半導体デバイスの進化の鍵となる回路パターンの微細化が難しくなる中、光露光装置※1に比べ、より微細な10nm※2 台の回路パターンを、より低コストで実現する新しい技術として、ナノインプリント技術に注目が集まっている。キヤノンは 2004年より、ナノインプリント技術を用いた半導体製造装置の研究開発を続けている。
　ナノインプリント技術による半導体デバイスの量産においては、マスクの製造コストやリードタイムが課題とされてきた。この要因としては、一般的に半導体デバイス製造用のマスクは、電子ビームを用いた微細パターンの直接描画により作成され、この描画工程にコストと時間を要することなどが挙げられる。そこでキヤノンは、半導体デバイス量産時の回路パターン形成において、高価なマスターマスクに比べ安価なレプリカマスクを使用することで、この課題を克服しようとしている。
　FPA-1100NR2は、ナノインプリント技術を応用することにより、高価なマスターマスクのパターンを忠実かつ短時間にマスク部材に転写することができ、高い生産性でレプリカマスクを製作することが可能。これにより、ナノインプリント用マスクサプライヤーの生産現場に おいて、マスクの生産性を飛躍的に向上させ、ナノインプリント技術を用いた半導体デバイスの製造コストを大幅に削減することで、先端リソグラフィプロセスにおける CoO※3 低減を実現する。
　なお、2017年2月26日～3月2日まで、米国カリフォルニア州サンノゼで開催される半導体リソグラフィ国際会議（SPIE Advanced Lithography 2017）において、キヤノンはナノインプリント技術ならびにナノインプリント装置の開発進捗について講演を行う予定。
※1　大口径のレンズを搭載し、レーザー光を照射することで回路パターンをウエハー上に転写する半導体製造装置。
※2　1nm（ナノメートル）は、10 億分の 1メートル
※3　Cost of Ownership の略。半導体製造に関する設備投資や運用に必要なコスト。半導体メーカーの量産ラインにおける工程や製造 装置の生産性を示す指標。
＜ナノインプリント技術について＞
　ナノインプリント技術を用いた半導体製造装置は、マスクをウエハーのレジスト（樹脂）に直接押しつけることで、マスクに彫り込まれた回路パターンを忠実に転写できるため、光露光装置に比べ、高解像度で均一性のある回路パターンが描ける。また、光露光装置に使用されている光源や大口径レンズ群が不要であるため、装置自体をシンプルな構造かつコンパクトにすることができ、複数台の装置をクラスター化して設置することにより、生産性を高めることが可能。 
 
  
 
2017 年 2 月 23 日