三菱電機（株）は、国立研究開発法人 産業技術総合研究所（AIST）集積マイクロシステム研究センターとの共同研究により、高い熱伝導率を持つ単結晶ダイヤモンドを放熱基板に用いたマルチセル構造※1のGaN-HEMT※2を世界で初めて※3開発した。移動体通信基地局や衛星通信システムに搭載される高周波電力増幅器の電力効率の向上により、低消費電力化に貢献する。なお、本開発成果の詳細は、SSDM※4 2019（9月2日～5日、於：名古屋大学）で9月4日に発表する。
※1 複数のトランジスタセルを並列に配置する構造
※2 Gallium Nitride - High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ
※3 2019年9月2日現在、三菱電機調べ
※4 International Conference on Solid State Devices and Materials
※1 複数のトランジスタセルを並列に配置する構造
※2 Gallium Nitride - High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ
※3 2019年9月2日現在、三菱電機調べ
※4 International Conference on Solid State Devices and Materials
開発の特長
1.世界で初めて、マルチセル構造のGaN-HEMTを単結晶ダイヤモンド基板へ直接接合
世界で初めて、トランジスタを並列に8セル組み合わせたマルチセル構造のGaN-HEMT層を、産総研が開発したナノ表面改質層を介した常温接合法により、熱伝導率の高い単結晶ダイヤモンド（熱伝導率1900W/m・K）の放熱基板に直接接合。
2.GaN-HEMTの出力密度・電力効率の向上により、省エネに貢献
単結晶ダイヤモンド基板により放熱性を高め、GaN-HEMTの上昇温度を211.1℃から35.7℃に低減※5し、トランジスタ当たりの出力は2.8W/mmから3.1W/mmへ約10%増加※5、電力効率は55.6%から65.2%に向上※5し、省エネに貢献
※5 シリコン基板を用いた同構造GaN-HEMTとの比較において