【第78回応用物理学会秋季学術講演会】東工大工の中村なぎさ氏、9月7日に「Si上半導体薄膜DRレーザの高効率・高速変調特性」発表

　（公社）応用物理学会では、来る9月5日～8日まで、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレスホテル（福岡県福岡市）で「第78回応用物理学会秋季学術講演会」を開催する。7日、11:30～11:45には、東工大工の中村なぎさ氏が「Si上半導体薄膜DRレーザの高効率・高速変調特性」について発表する。会場はA504。
　Si上に貼り付けた薄膜分布反射型（DR）レーザの高効率化，高速動作化を実現している。従来のDRレーザに比べてサイドクラッド層の不純物濃度を低減すると同時に電極-活性領域間距離を短縮することで、緩和振動周波数等の特性が大きく向上することを実証した。