【第78回応用物理学会秋季学術講演会】北大院情報の高橋庸夫氏、9月6日に「LSI配線におけるZn添加によるCu/SiO2間の相互拡散バリア性の評価」発表

　（公社）応用物理学会では、来る9月5日～8日まで、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレスホテル（福岡県福岡市）で「第78回応用物理学会秋季学術講演会」を開催する。6日、13:45～14:15には、シンポジウム「新デバイス・材料開発のためのナノスケール3次元分析（I）」で北大院情報の高橋庸夫氏が「ナノスケールReRAM/CBRAMデバイスのIn-situ TEM解析」について発表する。会場はC19。
　半導体デバイスの微細化によるLSIの高性能化、および、新たな機能デバイスを追加することが可能となっている。最近注目されている、抵抗変化メモリ（ReRAM）や相転移メモリ（PCM）を例にとり、TEMの中でデバイスを動作させる（in-situ-TEM）評価例を紹介する。故障に向かっての変化過程が明確に観察でき、デバイスの寿命評価などにきわめて効果的である。